Der Weg in eine verheißungsvolle Zukunft ist laut Kasthuri Jagadeesan, Research Analyst bei den Beratern aus Kalifornien, längst beschritten: "Längst läuft das Wettrennen, eine ‚universelle’ Speicher-Technologie zu entwickeln, die berechenbar schnelle Zugangsfristen, hohe Dichte sowie niedrigen Energieverbrauch aufweist - und die Fähigweit, mit einer Verbindung von weniger als 45nm zu arbeiten.“
Die gesuchte alternative Technologie erreicht so hohe Dichten wie Flash - bei einem deutlich besseren Gedächtnis. Dass dieses Ziel bald erreicht wird, machen mehrere Gründe wahrscheinlich: das Mooresche Gesetz, Fortschritte in der Material-Forschung und immer zuverlässigere Fertigungstechniken.
Große Chancen verspricht außerdem, dass Kraftfahrzeugsanwendungen und Consumer Electronics immer stärker miniaturisieren und bei geringem Verbrauch enorme Speichermengen benötigen.
Diese Impulse haben längst zu verbesserter Leistung in Sachen Embedded Memories geführt. Die Nachfrage nach effizienten Speichergeräten für System-on-Chip-Schaltkreise sowie anwendungs-spezifische und integrierte Circuits wirkt zusätzlich als Wachstumstreiber.
Forscher experimentieren derzeit mit neuen Materialien wie Kohlenstoff-Nano-Röhren sowie molekularen und biomolekularen Stoffen, denn alle gängigen Lösungen sind mit spezifischen Problemen behaftet.
Ferroelektrischen RAMs (FRAM) fehlt es an Dichte, magnetoresistive (MRAM) und auf Phasenwechsel gepolte RAMs (PRAM) verschwenden Energie. Eingebettete statische (eSRAM) und dynamische (eDRAM) Speichergeräte zeigen sich demgegenüber fehleranfällig und unbeständig.
Der Report "Advances in Embedded Memories" von Frost & Sullivan setzt sich ausführlich mit dem Thema auseinander.