1000 mal schneller als Flash
Intel revolutioniert Storage-Technologie
Foto: Intel/Micron
1000 mal schneller als aktuelle Flash-Speicher, eine tausendfache Lebensdauer bei den Schreibzyklen und dann Packungsdichten, die um den Faktor 10 höher sind als bei RAM-Speicherbausteinen: Bei diesen Werten sprechen IntelIntel und Micron wenig bescheiden von einem Durchbruch in der Speichertechnologie. Beide Unternehmen arbeiten seit Jahren schon bei Flash-Speichern zusammen, nun haben sie 3D XPoint entwickelt und vorgestellt. Seit der Einführung von NAND-Flash im Jahr 1989 handle es sich bei 3D XPoint laut den Unternehmen um die erste neue Speicherkategorie. Top-500-Firmenprofil für Intel Mobile Communications (IMC) GmbH
Wie funktioniert 3D XPoint?
3D XPoint ist wie NAND-Flash ein nicht flüchtiger Speicher. Ist der Strom weg, so bleibt die Information erhalten - im Gegensatz zum klassischen Arbeitsspeicher in PCs und Servern. Die Technologie verwendet keine Transistoren für die Speicherung der Bit-Informationen. Exakte technische Details haben Intel und Micron nicht bekannt gegeben, doch das Prinzip von 3D XPoint basiert auf einer dreidimensionalen "Cross Point" Architektur. Die Speicherzellen werden über sogenannte Selektoren individuell angesteuert, die in Schichten kreuzweise verlegt sind. Durch die kleine Größe der Speicherzelle kann der Status sehr schnell und mit geringeren Latenzzeiten als bei herkömmlichen NAND-Speichern geändert werden, wie Intel angibt.
- Produktpräsentation 3D XPoint
Intel und Micron haben die neue Speichertechnologie 3D XPoint zusammen entwickelt. - Produktpräsentation 3D XPoint
Seit der Vorstellung von NAND-Flash im Jahr 1989 handle es sich bei 3D XPoint um die erste neue Speicherkategorie. - Produktpräsentation 3D XPoint
Aktuell sei eine der größten Hürden im modernen Computing die lange Zeit, bis Daten vom Storage-Subsystem in den Prozessor gelangen, wie Mark Adams, President von Micron erläutert. - Produktpräsentation 3D XPoint
1000 mal schneller als aktuelle Flash-Speicher, eine tausendfache Lebensdauer bei den Schreibzyklen und dann Packungsdichten, die um den Faktor 10 höher sind als bei den RAM-Speicherbausteinen. - Produktpräsentation 3D XPoint
Das Prinzip von 3D XPoint basiert auf einer dreidimensionalen „Cross Point“ Architektur. Die Speicherzellen werden über sogenannte Selektoren individuell angesteuert, die in Schichten kreuzweise verlegt sind. - Produktpräsentation 3D XPoint
Die Einsatzgebiete von 3D XPoint sind laut den Herstellern Intel und Micron sehr vielfältig. - Produktpräsentation 3D XPoint
Zumindest die Erfinder sprechen von einem Durchbruch in der Speichertechnologie. - Siliziumplättchen von 3D XPoint
Pro Die sind anfänglich 128 Gbit Kapazität möglich - Wafer mit 3D XPoint-Chips
Erste Sample-Wafer werden bereits produziert.
Die räumliche Gitterstruktur erlaubt zusammen mit den kleinen "transistorlosen" Zellen eine hohe Packungsdichte. Anfangs produzieren Intel und Micron mit 3D XPoint Chips, die aus zwei Schichten dieser Speicherzellen bestehen. Auf einem Siliziumplättchen sind derzeit 128 Gbit Kapazität möglich. Allerdings sollen künftig die Speicherschichten zunehmen. Laut den Herstellern lässt sich die 3D XPoint-Technologie vertikal in "3D-Manier" skalieren. Ähnliche Verfahren gibt es bereits bei den NAND-Flash-Bausteinen von Intel/Micron sowie von Samsung. Auch hier skaliert die Kapazität der Chips durch mehrere übereinander "gelagerte Schichten von Speicherzellen. Derzeit sind bis zu 32 Schichten bei den Chip-Produzenten im Einsatz.